Webcf4プラズマを用いたsiのケミカルドライエッチ ングは半導体製造プロセスの基本加工技術であり，次 世代のlsi開発のため，プラズマ中に発生するイオ ンによる照射損傷がない高速エッチング技術の開発研 究が活発に行われているd．最近，我々は新しい低損 Webり、CHF3／CF4／Ar混合ガスを用いて1．5Pa程度の圧 力下でプラズマ照射することによりエッチングされる。 【0008】しかしながら例えば熱的に成長させたSiO2 膜のエッチング速度と比較すると、その値は1／4程度 と非常に遅い。 デバイスの高集積化と共にビアホールの アスペクト比（ホール深さ／ホールサイズ）が高くなっ てくるとこの影響は顕 …

후성 - foosungchem.com

WebI want to tell you about CHF3 GAS is not good choice for your sample. because Metal oxide include ZnO, IGZO and so on,, active layer also will be effected by H atom. I will use CF4 GAS and... Webドライエッチングは反応容器内に供給したガスをプラズマ放電で活性にし，ウェーハ表面 のエッチング加工を行うものである．最も代表的な方式である反応性イオンエッチング（RIE） は，反応容器内に一対の平行平板型の電極を設け，ウェーハが搭載される電極側に高周波 （13.56 MHzが多用される）電力を加えることでプラズマを生成する．高周波 … thunder bay ontario canada weather

JPH08148474A - ドライエッチングの終点検出方法および装置

Webドライエッチ プラズマ ッチ 反応性 オンエッチ Sio2HF溶液 C2F6，CHF3 F4＋H2等 Si，polySi HF＋HNO3 2H4 CF4CF4，CC】4 F6 Si3N4熱H3PO4CF4 CF4 AiH3PO4＋HNO3 CH3COOHBCl3．CC14 W，MoH3PO4＋HNO3 CF4，SF6 22 （f）ポストベーク 最後に100℃程度でウエーファをふたたびべ一クし て現像液を完全に飛ば … Webシリコン酸化膜（sio2）やシリコン窒化膜（sin）のドライエッチン グに用いられるガスは、一般的にcf4やchf3である。表1に示す ように、これらのガスは地球温暖化係数が高 … http://www.foosungchem.com/pro/product_cdt_view02.asp thunder bay ontario canada restaurants